MEMS器件释放蚀刻实验
信息概要
MEMS器件释放蚀刻实验是微机电系统（MEMS）制造过程中的关键工艺之一，通过化学或物理方法去除牺牲层材料，释放可动结构，确保器件功能实现。
检测机构提供的服务涵盖工艺验证、性能评估及可靠性分析，确保MEMS器件满足设计要求和行业标准。
检测的重要性在于识别工艺缺陷、优化参数、提升良率，并为后续封装和应用提供数据支持。
检测项目
释放蚀刻深度均匀性、牺牲层残留量、结构层形貌完整性、侧壁粗糙度、关键尺寸偏差、释放结构应力分布、薄膜厚度一致性、蚀刻速率稳定性、表面污染元素分析、释放结构粘附现象、动态响应频率、机械强度测试、疲劳寿命评估、温度稳定性、湿度敏感性、化学残留物检测、电学性能参数、气密性测试、振动特性分析、可靠性加速老化测试。
检测范围
加速度计、陀螺仪、压力传感器、麦克风、微镜阵列、射频开关、生物传感器、微流体芯片、光学MEMS惯性测量单元、能量收集器、温度传感器、气体传感器、磁力计微执行器、喷墨打印头、微泵、微阀、谐振器滤波器。
检测方法
扫描电子显微镜（SEM）：分析表面和截面形貌；
原子力显微镜（AFM）：测量三维表面粗糙度；
光学轮廓仪：进行非接触式厚度测量；
X射线光电子能谱（XPS）：检测表面元素组成；
傅里叶变换红外光谱（FTIR）：分析化学键结构；
激光多普勒测振仪：评估动态性能；
纳米压痕仪：测试机械强度；
聚焦离子束（FIB）：切割截面观察；
白光干涉仪：测量微结构；
形变残余应力测试仪：分析薄膜应力分布；
气相色谱-质谱联用（GC-MS）：检测有机残留；
电化学项目合作单位：测试腐蚀电位；
热重分析仪（TGA）：评估材料热稳定性；
四探针电阻率测试仪：测量导电性能；
氦质谱检漏仪：进行气密性验证。
检测仪器
扫描电子显微镜，原子力显微镜，光学轮廓仪，X射线衍射仪，傅里叶变换红外光谱仪，激光多普勒测振仪，纳米压痕仪，聚焦离子束系统，白光干涉仪，残余应力测试仪，气相色谱-质谱联用仪，电化学项目合作单位，热重分析仪，四探针测试仪，氦质谱检漏仪。
