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电子电气仪器检测

MEMS器件释放蚀刻实验

更新时间  2025-07-02 10:19 阅读

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信息概要

MEMS器件释放蚀刻实验是微机电系统(MEMS)制造过程中的关键工艺之一,通过化学或物理方法去除牺牲层材料,释放可动结构,确保器件功能实现。

检测机构提供的服务涵盖工艺验证、性能评估及可靠性分析,确保MEMS器件满足设计要求和行业标准。

检测的重要性在于识别工艺缺陷、优化参数、提升良率,并为后续封装和应用提供数据支持。

检测项目

释放蚀刻深度均匀性、牺牲层残留量、结构层形貌完整性、侧壁粗糙度、关键尺寸偏差、释放结构应力分布、薄膜厚度一致性、蚀刻速率稳定性、表面污染元素分析、释放结构粘附现象、动态响应频率、机械强度测试、疲劳寿命评估、温度稳定性、湿度敏感性、化学残留物检测、电学性能参数、气密性测试、振动特性分析、可靠性加速老化测试。

检测范围

加速度计、陀螺仪、压力传感器、麦克风、微镜阵列、射频开关、生物传感器、微流体芯片、光学MEMS惯性测量单元、能量收集器、温度传感器、气体传感器、磁力计微执行器、喷墨打印头、微泵、微阀、谐振器滤波器。

检测方法

扫描电子显微镜(SEM):分析表面和截面形貌;

原子力显微镜(AFM):测量三维表面粗糙度;

光学轮廓仪:进行非接触式厚度测量;

X射线光电子能谱(XPS):检测表面元素组成;

傅里叶变换红外光谱(FTIR):分析化学键结构;

激光多普勒测振仪:评估动态性能;

纳米压痕仪:测试机械强度;

聚焦离子束(FIB):切割截面观察;

白光干涉仪:测量微结构;

形变残余应力测试仪:分析薄膜应力分布;

气相色谱-质谱联用(GC-MS):检测有机残留;

电化学项目合作单位:测试腐蚀电位;

热重分析仪(TGA):评估材料热稳定性;

四探针电阻率测试仪:测量导电性能;

氦质谱检漏仪:进行气密性验证。

检测仪器

扫描电子显微镜,原子力显微镜,光学轮廓仪,X射线衍射仪,傅里叶变换红外光谱仪,激光多普勒测振仪,纳米压痕仪,聚焦离子束系统,白光干涉仪,残余应力测试仪,气相色谱-质谱联用仪,电化学项目合作单位,热重分析仪,四探针测试仪,氦质谱检漏仪。